I-CVI ได้รับการแนะนำเป็น CVI แบบไล่ระดับความร้อน (modified CVI) และใช้สำหรับการผลิตชิ้นส่วนขนาดใหญ่ เช่น หัวฉีดจรวด การทับถม F-CVI แบบไล่ระดับความร้อนได้รับการแนะนำเพื่อแทนที่ I-CVI ในขณะที่ทำงานกับ SiC และ Si matrices ที่มีผลิตภัณฑ์สำเร็จรูปที่มีรูพรุนต่างๆ ซึ่งการถ่ายโอนมวลเกิดขึ้นโดยการพาความร้อน แบบบังคับ เนื่องจากการไล่ระดับความดันจรวด[ 17 ] ในวิธีนี้ ผลิตภัณฑ์ที่ขึ้นรูปขั้นต้นจะได้รับความร้อนอย่างสม่ำเสมอมากขึ้นเนื่องจากการเพิ่มขึ้นของการนำความร้อนของผลิตภัณฑ์ที่ขึ้นรูปขั้นต้นที่แทรกซึม [ 18 ] [ 19 ] 3 N 4 [ 14 ]. บุสมันน์ และคณะ วิจัยการใช้ งานจริงของการผลิตส่วนประกอบ SiC/SiC โดยใช้กระบวนการ F-CVI เครื่องยนต์ นอกจากนี้ ยังมีการวิจัยว่าเวลาในการแทรกซึมของกระบวนการ F-CVI ซึ่งรายงานว่าเวลาในการผลิตเมทริกซ์ SiC ลดลงแม้ว่าผลิตภัณฑ์ที่ขึ้นรูปขั้นต้นจะมีความหนา 2.5 มม. [ 21 ] อีกเทคนิคทางเลือกที่เรียกว่า CVI ที่อุ่นด้วยไมโครเวฟ (MW-CVI) ใช้สำหรับควบคุมโปรไฟล์อุณหภูมิผกผันของพรีฟอร์มเส้นใยเซรามิกขณะให้ความร้อน[ 21 ] สามารถผลิตโปรไฟล์อุณหภูมิที่ควบคุมได้ภายในผลิตภัณฑ์ที่ขึ้นรูปขั้น [ 22 ] . ช่วยให้สามารถสร้างการไล่ระดับอุณหภูมิจากจุดศูนย์กลางของผลิตภัณฑ์ที่ขึ้นรูปขั้นต้นไปยังชั้นภายนอกได้หมายความว่าการสะสมตัวของเซรามิกเมทริกซ์เกิดขึ้นจากด้านในสู่ด้านนอก โดยไม่ต้องเชื่อมต่อกับการปิดผนึกของรูพรุนด้านนอกของผลิตภัณฑ์ที่ขึ้นรูปขั้นต้น ซึ่งอาจ ทำให้เกิดปัญหาทางโครงสร้างใดๆ งานวิจัยเกี่ยวกับการปรับขนาดกระบวนการนี้และการออกแบบเครื่องปฏิกรณ์ระดับนำร่องได้รับการตีพิมพ์เมื่อเร็วๆ นี้ [ 23 ] [ 24] .